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日志

通信接口保护器件的电容标准

已有 486 次阅读2017-8-3 11:20

通信接口保护器件的电容标准

在高速的数据速率应用中,保护器件电容通常是一个决定性的因素(见下表)。每一个TVS二极管,像其他半导体,有一个固有电容。电容是依赖于结面积,掺杂浓度和在二极管两端的电压。反向偏置电压是负相关的装置的电容,作为反向偏压增加了设备的电容减小。作为掺杂浓度的增加,二极管的额定电压降低,并且设备的电容增大。另一方面,具有较高的电压值的设备具有更小的结电容。较大的接合面积涉及更高的电流处理能力。但作为装置或结尺寸增加了设备电容增大与它一起。一个的电容器的特性,是随时间变化的信号的低阻抗。的信号的频率越高,降低提供给它的电阻。因此,当一个TVS二极管是用在高数据速率的应用中,本征器件电容趋于衰减信号。因此,当该装置的电容很大,由高频信号所遭受的衰减更大,上海雷卯电子提供全系列的通信接口保护器件。

上海雷卯电子科技有限公司

QQ:2850873588  胡工


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